1、產品特點：
憑(ping)借高于95%的極高量(liang)子效率(lv)，及其(qi)高達155×162毫(hao)米的極大有效面積，PILATUS4 R CdTe探測器可對基于從銅(tong)（Cu）到銦（In）的任何X射線源的快速數(shu)據(ju)收集。特別(bie)是對于鉬（Mo）、銀（Ag）和銦（In）輻(fu)射，PILATUS4 R CdTe的性能優于任何配有硅傳感器的HPC探測器—甚至包括目前擁有最厚的硅傳感器的PILATUS3。
PILATUS4憑借出色的計數率和五探測器背景噪音的特點，實現了跨越十個數量級的廣泛動態范圍，高達200Hz的內部幀速，進一步優化了計數率校準，從而確保高強度測量的高度準確性。此外，PILATUS4還具備四個能量區分(fen)閾值，為勞厄衍射和光譜成像等應用帶來了(le)新(xin)的(de)可能。
2、核心優勢
- 巨大且有效：有效成像面積高達155×162mm，量子效率超過95％
- 最大限度的高動態范圍：通過零探測器背景噪音、卓越的計數率以及同步讀/寫技術，實現了最大限度的高動態范圍。
- 多功能性(xing)：覆(fu)蓋了(le)從銅（Cu）到銦（In）高量子效(xiao)率(lv)；四個能量區(qu)分閾值適(shi)用于多色(se)光(guang)應用。
3、應用領域
- 單晶衍射
- 小角X射線散射
- 光譜成像
- 勞厄衍射
4、技(ji)術參數(shu)：
PILATUS4 R CdTe | 1M | 260K | 260K-W |
有(you)效面積：寬×高 [mm2] | 155.0 x 162.0 | 77.0× 79.5 | 155.0 x 38.3 |
像素陣(zhen)列 | 1033 x 1080 | 513 × 530 | 1033× 255 |
像素(su)大(da)小 [μm2] | 150 x 150 | ||
能量范圍 [keV] | 8 - 25 (8 - 100)【1】 | ||
能量閾值數量 | 4 | ||
| 閾值(zhi)范(fan)圍(wei) [keV] | 4-30（4-80）【1】 | ||
計數率
[ph/s/pixel] | 5.0 x 106 | ||
最大幀頻 [Hz] | 10 | 100 | 100 |
讀出時間【2】 | 連續讀(du)出 | ||
傳感器(qi)材料 | CdTe | ||
傳感器厚(hou)度[μm] | 1000 | ||
點擴(kuo)散函數 | 1 pixel（FWHM） | ||
尺寸(cun)（WHD）[mm3] | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 192 x 92 x 277 |
重量 [kg] | 15 | 4.7 | 5.8 |
; 【1】可選擇校準來擴(kuo)展能量范圍
【2】兩次曝光之間的有效死時間＜100ns（最大損失1count/pixel）
010-62712978，136911 11138
